離子注入是半導體器件/集成電路生產(chǎn)的關鍵工藝，通過將摻雜元素注入半導體晶片改變其導電特性，形成所需結構，是多方面優(yōu)于傳統(tǒng)擴散的摻雜工藝。傳統(tǒng)擴散靠熱擴散，雜質表面濃度高、隨深度降低且橫向擴散，影響器件性能；離子注入靠高能離子，雜質濃度峰值深度可調、無橫向擴散，波形好、對溝道影響小，更精準可控。
離子注入機原理：
離子源內燈絲加熱產(chǎn)熱電子，碰撞陰極生二次電子；二次電子在電勢差與源磁場下螺旋前進，碰撞高純氣體生成含多種離子的等離子體。離子束經(jīng)萃取電場加速，借洛侖茲效應（磁場中帶電粒子偏轉）濾除雜離子，最終高能離子與晶片原子碰撞換能后停留。
離子注入需全天候連續(xù)作業(yè)，其配套高壓直流電源需低紋波、高穩(wěn)定度、高可靠性，且因設備內部空間限制，對功率密度要求嚴苛。博思得聚焦半導體離子注入機等離子束用高壓直流電源關鍵技術，對高穩(wěn)定度、低紋波、高可靠性、高功率密度、全數(shù)字化控制及打火快速檢測恢復等關鍵技術指標開展了大量基礎研究與產(chǎn)品驗證。
1 穩(wěn)定度
離子注入高壓電源核心指標為高穩(wěn)定度（需≥500PPM/8hour），以保證芯片生產(chǎn)一致性?，F(xiàn)有高穩(wěn)定電源多采用模擬控制，雖結構簡單、精度高，但抗干擾差、參數(shù)調節(jié)不靈活、對基準電壓要求高。博思得采用全數(shù)字化控制，數(shù)字給定電壓恒定無穩(wěn)定性問題；模擬量采樣經(jīng)數(shù)字濾波提升抗干擾；實時檢測高壓發(fā)生器關鍵器件溫度并調參，提升系統(tǒng)穩(wěn)定度；數(shù)字擬合采樣比例，確保全范圍高精度輸出。
2 高可靠性打火
傳統(tǒng)方案用電阻抑打火電流，僅適用于大功率短時或小功率長時間工作，否則電阻功耗大、易過熱失效且影響效率，且電阻無源導致抑制效果有限。博思得優(yōu)化為電感方案：更有效降低打火電流、提升抑制效果；正常工作時電感如導線，無功耗、過熱及效率問題。
3 高功率密度
現(xiàn)有高壓直流電源用Si基器件（如IGBT、Si-MOSFET），開關頻率20-40kHz，導致磁性元件、倍壓電容體積大，且Si基器件開關損耗大、需大散熱器，制約功率密度。博思得采用第三代寬禁帶半導體（SiC/GaN），其開關損耗低、頻率高，可縮小散熱器、磁芯及倍壓電路體積，具體優(yōu)點：
開關頻率100kHz左右，為傳統(tǒng)的2-3倍；
開關損耗
LCC諧振電感量降低，體積減??；
并聯(lián)諧振電容容量減小，可用變壓器副邊寄生電容；
相同紋波下輸出電容容量降低，倍壓電路體積縮小。
基于此，博思得將400W/600W/1200W高壓電源集成于1U機箱，較同類競品（普遍>2U）體積顯著縮減，且全工作范圍高效率運行。
博思得PSE-SERIES高壓電源為半導體制造等高端領域提供堅實可靠的動力支持
在芯片制造技術不斷發(fā)展的當下，離子注入工藝對精度與穩(wěn)定性的要求日益提升。博思得PSE-SERIES高壓電源，為國產(chǎn)離子注入機提供了強大動力支持。其全數(shù)字化控制技術、創(chuàng)新打火抑制方案以及第三代寬禁帶半導體的應用，使高壓電源在穩(wěn)定性、精度、可靠性和功率密度等方面均達行業(yè)領先水平，精準契合離子注入工藝對高壓電源的苛刻要求。
產(chǎn)品優(yōu)勢
全國產(chǎn)化器件，供應鏈可控，交期迅速；
研發(fā)、生產(chǎn)質量管控體系完善；
產(chǎn)品生產(chǎn)全自動化測試，全部產(chǎn)品額定功率老化；
研發(fā)能力強，可快速滿足各類定制化需求；
第三代寬禁帶半導體器件（SiC）設計，高功率密度，高效率；
全范圍電壓精度高，高輸出電壓精度±0.2%，可實現(xiàn)低kV（0.1%額定電壓）高精度輸出；
電壓穩(wěn)定度高，輸出電壓穩(wěn)定度<0.01%；
軟件邊沿控制技術，保證的上升沿時間，電壓切換邊沿時間重復穩(wěn)定；
多重全面保護設計，避免電源無故停機或損壞失控；
設計裕量大，關鍵器件選型裕度均在2倍以上；
ARC保護能力強，十萬余次對地短路測試，電源無任何損壞或性能降低。